韩美半导体董事长郭东信:HBM 4/5 内存即导入混合键合犹杀鸡用牛刀

栏目: 汽车配件 发表于:2025-11-09 17:05:15查看: 7

▲ 韩美半导体的 HBM 内存 TC 键合设备▲ 韩美半导体的 HBM 内存 TC 键合设备

郭东信表示,瞄准 HBM6 内存需求的混合键合机则目标在 2027 年推出。IT之家所有文章均包含本声明。韩国半导体设备企业韩美半导体 (HANMI Semiconductor) 董事长郭东信当地时间昨日表示,并无必要。节省甄选时间,是传统 TC 键合机的两倍以上;此外 JEDEC 制定的 HBM4 规范将堆栈高度要求放宽到了 775μm,在 HBM 4/5 世代就为 HBM 内存导入混合键合工艺犹如杀鸡用牛刀,最近两年由该企业设备实施键合步骤的 HBM 堆栈占到英伟达 HBM3E 内存整体供应量的九成。

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