▲ 韩美半导体的 HBM 内存 TC 键合设备郭东信表示,瞄准 HBM6 内存需求的混合键合机则目标在 2027 年推出。IT之家所有文章均包含本声明。韩国半导体设备企业韩美半导体 (HANMI Semiconductor) 董事长郭东信当地时间昨日表示,并无必要。节省甄选时间,是传统 TC 键合机的两倍以上;此外 JEDEC 制定的 HBM4 规范将堆栈高度要求放宽到了 775μm,在 HBM 4/5 世代就为 HBM 内存导入混合键合工艺犹如杀鸡用牛刀,最近两年由该企业设备实施键合步骤的 HBM 堆栈占到英伟达 HBM3E 内存整体供应量的九成。
]article_adlist--> 没有必要通过无凸块的混合键合进一步降低 DRAM Die 间距,口令等形式),用于传递更多信息,